InGaP/GaAs/InGaAs उल्टे त्रिकोण जंक्शन संकेंद्रक सौर पैनलों का विकास

हम ने संकेंद्रक अनुप्रयोग के लिए 45% की लक्षित दक्षता के साथ InGaP/GaAs/InGaAs उल्टे त्रिकोण सौर पैनलों का विकास किया है। हमने कोशिकाओं में श्रेणी प्रतिरोध को कम किया। परिणामस्वरूप, हमने अधिकतम केंद्रित अनुपात को लगभग 300-सूर्य तक बढ़ा दिया और फ़्रॉन्होफर इंस्टीट्यूट फॉर सोलर एनर्जी सिस्टम्स द्वारा मापी गई आधिकारिक मान के रूप में 43.5% की दक्षता प्राप्त की। हाल ही में हमने एक कोशिका में 44% की दक्षता प्राप्त की है, जिसमें शैडो लॉस को कम कर के शॉर्ट करंट डेंसिटी (Jsc) में सुधार किया गया। हमने उल्टे त्रिकोण सौर पैनलों वाले रिसीवर पर विश्वसनीयता परीक्षण किए। 150-सूर्य के तहत 1,500 घंटे 85 डिग्री सेल्सियस और 85% आर्द्रता वाले वातावरण में प्रदर्शन के बाद ओपन सर्किट वोल्टेज और फुल फैक्टर में कोई स्पष्ट गिरावट नहीं देखी गई। इसके अतिरिक्त, 1.047cm2 अपर्चर क्षेत्र वाली एक कोशिका में 37.7% तक 1-सूर्य दक्षता में सुधार की पुष्टि की गई।