द्विध्रुवीय RRAM के अनिवार्य सेट/रीसेट विशेषताओं का क्षेत्र और तापमान संचालित तंतु विकास द्वारा मॉडलिंग

प्रतिरोधात्मक स्विचिंग मेमोरी (RRAM) उपकरण सामान्य रूप से इंसुलेटिंग सामग्रियों, जैसे कि धातु ऑक्साइड और चैल्कोजेनाइड ग्लास के माध्यम से संवाहक तंतुओं के निर्माण/विघटन पर निर्भर करते हैं। प्रतिरोधात्मक स्विचिंग सामग्रियों में तंतु निर्माण और विघटन के तंत्रों को समझना भविष्य की पीढ़ी के भंडारण के लिए विश्वसनीय और नियंत्रित RRAM के विकास की दिशा में एक महत्वपूर्ण कदम है। विशेष रूप से, तंतु निर्माण के दौरान अनुपालन धारा के माध्यम से तंतु प्रतिरोध और रीसेट धारा को नियंत्रित करने की क्षमता स्विचिंग तंत्र को स्पष्ट करने के लिए एक प्रमुख संकेत प्रदान कर सकती है। यह कागज़ द्विध्रुवीय RRAM उपकरणों में सार्वभौमिक प्रतिरोध स्विचिंग के लिए एक भौतिक रूप से आधारित व्याख्या प्रस्तुत करता है। गर्मी सक्रिय आयन प्रवासन पर आधारित तंतु वृद्धि का एक संख्यात्मक मॉडल प्रतिरोध स्विचिंग विशेषताओं को ध्यान में रखता है। उसी भौतिक चित्र को रीसेट संक्रमण को संख्यात्मक रूप से मॉडल करने के लिए विस्तारित किया गया है। प्रवासन पैरामीटर्स और प्रयोगात्मक सेटअप का सेट/रीसेट विशेषताओं पर प्रभाव संख्यात्मक सिमुलेशन के माध्यम से चर्चा की जाती है।