उच्च गतिशीलता वाले अर्धचालकों में फ्लैट-बैंड वोल्टेज निर्धारित करने के लिए नई विधि

फ्लैट-बैंड वोल्टेज (VFB) और फ्लैट-बैंड धारिता (CFB) को निर्धारित करने के लिए जो विधि सामान्यतः उपयोग की जाती है, वह कई पैरामीटर पर निर्भर करती है और इसे केवल कम इंटरफेस ट्रैप घनत्व (Dit) के मामले में प्रयोग किया जा सकता है जब धारिता-तनाव मापन उच्च आवृत्तियों पर किए जाते हैं। इस पत्र में VFB और CFB निर्धारित करने के लिए एक नई और सरल विधि प्रदर्शित की गई है। यह विधि धारिता-तनाव वक्र में इन्फ्लेक्शन के बिंदु पर आधारित है। इस विधि को सामग्री या प्रयोगात्मक पैरामीटर के ज्ञान की आवश्यकता नहीं होती है और इसे सभी आवृत्तियों पर उच्च Dit और उच्च बॉर्डर ट्रैप घनत्व MOS संरचनाओं पर उपयोग किया जा सकता है।