एक मजबूत गैर-वाष्पशील प्रतिरोधक मेमोरी डिवाइस जो स्वतंत्र अल्ट्रा पतली 2D इमाइन पॉलिमर फिल्म पर आधारित है

सार यहां, साधारण बेंजीन-1,3,5-त्रिकार्बाल्डेहाइड (BTA) और p-फेनिलीनडियामाइन (PDA) निर्माण ब्लॉकों से नियंत्रित मोटाई के साथ एक वेफर-स्तरीय अल्ट्रा पतली 2D इमाइन पॉलिमर (2DP) फिल्म की सिंथेसिस की रिपोर्ट की गई है, जिसे Schiff बेस पॉलीकंडेनसेशन प्रतिक्रिया का उपयोग करके एयर-जल इंटरफेस पर तैयार किया गया है। निर्मित स्वतंत्र 2DP फिल्में छिद्रपूर्ण, इंसुलेटिंग हैं, और सबसे महत्वपूर्ण रूप से, कोवालेन्टली लिंक की गई हैं, जो गैर-वाष्पशील मेमRISTOR के लिए आदर्श है जो एक संवाहक फिलामेंट तंत्र का उपयोग करते हैं। ये डिवाइस उच्च विश्वसनीयता और पुनरुत्पादिता के साथ उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन दिखाते हैं, फिल्म की मोटाई के आधार पर 10 2 से 10 5 के रेंज में ऑन/ऑफ अनुपात होता है। इसके अलावा, 2DP-आधारित गैर-वाष्पशील प्रतिरोधक मेमRISTOR की सहनशीलता और डेटा बनाए रखने की क्षमता 200 चक्र और 0.1 V पर निरंतर वोल्टेज तनाव के तहत 8 × 10 4 सेकंड तक होती है। कोवालेन्ट ऑर्गेनिक पॉलिमर की अंतर्निहित लचीलापन एक लचीली मेमोरी डिवाइस के निर्माण की अनुमति देता है जो एक पॉलीइमाइड फिल्म पर होती है, जो कठोर सब्सट्रेट पर जितनी विश्वसनीय मेमोरी प्रदर्शन प्रदर्शित करती है। इसके अलावा, 2DP-आधारित मेमोरी डिवाइस उत्कृष्ट तापीय स्थिरता और ऑर्गेनिक सॉल्वेंट प्रतिरोध दिखाती है, जो पहनने योग्य उपकरणों में अनुप्रयोगों के लिए वांछनीय गुण हैं।