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Ag (111) सतह पर D2 विघटनकारी रासायनिक adsorpsion के लिए प्रारंभिक चिपकने की संभावनाएँ ट्रांजलेशनल ऊर्जा Ei=220–500 meV की सीमा में, घटना कोण θi और गैस तापमान के एक कार्य के रूप में मापी गई हैं, जिनका उपयोग बीजित आणविक बीमों से किया गया है। चिपकने की संभावनाएँ D2 आंतरिक अवस्था वितरण पर निर्भर करती हैं और ट्रांजलेशनल ऊर्जा के सामान्य घटक के साथ पैमाना करती हैं। डेटा को इस मान्यता के साथ फिट किया गया है कि विघटन आणविक घूर्णन से स्वतंत्र है, विभिन्न कंपन अवस्थाओं v में अणुओं से योगदान का योग है जिसके साथ चिपकने का कार्य S0 (Ei, θi, v) =A/21+tanhEi cos2 θi−E0 (v) /w (v) है, जो तांबे पर व्यवहार के समान है। चिपकने के पैरामीटर E0, वह ट्रांजलेशनल ऊर्जा आवश्यक है ताकि S0 अपने अधिकतम मान के आधे तक पहुँच सके, इसे स्तर v=3 (328 meV) और v=4 (170 meV) के लिए अच्छी सटीकता (±25 meV) के साथ निर्धारित किया गया है, जबकि चौड़ाई पैरामीटर क्रमशः w=54 और 63 meV हैं, जबकि स्तर v=1 और 2 के लिए बाधाएँ चिपकने वाले डेटा की ऊपरी सीमा के करीब हैं और E0 को क्रमशः 700±100 और 510±70 meV के रूप में估算 किया गया है। कंपन ग्राउंड स्टेट (v=0) के लिए पैरामीटर प्राप्त नहीं हो सके, क्योंकि इस अवस्था की चिपकना 500 meV से कम ट्रांजलेशनल ऊर्जा पर नगण्य है। न तो चिपकने वाले डेटा के व्यतिकरण पर फ्लैट या दोषपूर्ण सतह पर तापीय ऊर्जा Ei⩽70 meV पर कोई विघटन देखा जा सका।
Cottrell et al. (Sat,) ने इस प्रश्न का अध्ययन किया।