ऑक्सीजन रिक्ति प्रवाह और Ba0.3Sr0.7TiO3 पतली फिल्म्स का समय-निर्भर रिसाव वर्तमान व्यवहार

उच्च-परमिटिविटी कॉलम-ग्रो किए गए (Ba,Sr)TiO3 पतली फिल्म्स का रिसाव वर्तमान प्रतिक्रिया का अध्ययन उच्च तापमान पर dc लोड के तहत किया गया है। हम प्रतिरोध अवनति की शुरुआत से पहले एक थर्मली सक्रियित वर्तमान का अवलोकन करते हैं, जिसकी सक्रियण ऊर्जा EA=1.1eV है। हम dc क्षेत्र के तहत इलेक्ट्रॉनिक और आयनिक दोषों के प्रवास की गणना करने के लिए एक पॉइंट डिफेक्ट मॉडल लागू करते हैं, साथ ही सिस्टम की वर्तमान प्रतिक्रिया की भी। हम यह पाते हैं कि वर्तमान में शिखर ऑक्सीजन रिक्तियों के लिए स्पेस-चार्ज-सीमित अस्थायी द्वारा उत्पन्न नहीं होता, बल्कि ऑक्सीजन रिक्ति पुनर्वितरण के कारण इलेक्ट्रॉनिक चालकता के एक मोड्यूलेशन से संबंधित है। इसके अलावा, हम दिखाते हैं कि इलेक्ट्रॉनिक और आयनिक दोषों के पुनर्वितरण के बाद, सिमुलेशन में चालकता में कोई आगे की वृद्धि नहीं होती है।