टेलीकोम तरंग दैर्ध्य पर सिलिकॉन में तीसरे क्रम की गैर-रेखीयताएँ

दो-फोटॉन अवशोषण गुणांक और बड़े क्रिस्टलीय सिलिकॉन का केर गुणांक टेलीकोमुनिकेशन तरंग दैर्ध्यों 1.3 और 1.55 μm के पास फेम्टोसेकंड पल्स और संतुलित Z-स्कैन तकनीक का उपयोग करके निर्धारित किया गया है। 1 mrad के क्रम की एक चरण शिफ्ट संवेदनशीलता हासिल की जाती है, जो 100 μJ/cm2 से छोटे फ्लुएंस पर तीसरे क्रम के गैर-रेखीय गुणांकों के सटीक मापन को सक्षम बनाती है। एक तरंग दैर्ध्य λ=1.54 μm पर दो-फोटॉन अवशोषण गुणांक (β∼0.8 cm/GW) और केर गुणांक (n2∼4×10−14 cm2/W) से, सभी-ऑप्टिकल स्विचिंग के लिए गैर-रेखीय गुणांक का मान F∼0.35 निर्धारित किया गया है।