210-एनएम डीप-अल्ट्रावायलेट एल्यूमिनियम नाइट्राइड लाइट-इमिटिंग डायोड की संवहन दक्षता में सुधार

हम तकनीक का वर्णन करते हैं जो हमारे एल्यूमिनियम नाइट्राइड (AlN) डीप-अल्ट्रावायलेट लाइट-इमिटिंग डायोड की संवहन दक्षता में सुधार करने के लिए विकसित की गई है, जिसकी तरंग दैर्ध्य 20 एनएम है: यह किसी भी अर्धचालक से अवलोकन की गई सबसे छोटी तरंग दैर्ध्य है। यह सुधार उस अद्वितीय विशेषता का उपयोग करता है कि संवहन तीव्रता विद्युत् सतह के क्रिस्टल प्लेन पर निर्भर करते हुए बहुत बदलती है।