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तापमान पर निर्भर इंपेडेंस स्पेक्ट्रोस्कोपी संघनित पदार्थ की डायलेक्ट्रिक और प्रतिरोधी गुणों में कई योगदानों को अलग करने और अलग-अलग विशेषताओं को वर्णित करने की अनुमति देती है। हमने बीआईएफईओ₃ (बीएफओ) और बीआईएमएनओ₃ (बीएमओ) के मल्टीफेरोइक एपिटैक्सियल थिन फिल्म्स के लिए यह हासिल किया, जो मजबूत मैग्नेटोइलेक्ट्रिक युग्मन वाले सामग्रियों के मुख्य उदाहरण हैं। हम यह प्रदर्शित करते हैं कि एपिटैक्सियल परतों की वास्तविक फिल्म क्षमता इलेक्ट्रोड इंटरफेस के समान है, जिससे फिल्म की मोटाई के फ़ंक्शन के रूप में क्षमता के विश्लेषण की आवश्यकता होती है ताकि पृथक्करण हासिल किया जा सके। हमने गैसियन वितरणों का उपयोग करते हुए गैर-डेबाई इंपेडेंस प्रतिक्रिया का मॉडल किया और यह उजागर किया कि मल्टीफेरोइक परतों पर पारंपरिक प्रतिरोध माप इंटरफेस प्रभावों द्वारा प्रभुत्व हो सकता है। थर्मल रूप से सक्रिय चार्ज परिवहन मॉडलों ने 0.600.050.3em{0ex}eV (बीएफओ) और 0.250.030.3em{0ex}eV (बीएमओ) के सक्रियण ऊर्जा प्राप्त की, जो ऑक्सीजन रिक्तियों (बीएफओ) और इलेक्ट्रॉन कूदने (बीएमओ) द्वारा प्रभुत्व में संचायकता के साथ संगत है। अंतर्निहित फिल्म डायलेक्ट्रिक स्थिरांक 32075 (बीएफओ) और 450100 (बीएमओ) निर्धारित किए गए।
शिमिट एट अल। (2007) ने इस प्रश्न का अध्ययन किया।
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