結合深い電子バンドと準平坦な電子バンドを持つ二次元超伝導系における高Tcベレジンスキー-コステルリッツ-トゥーレス転移

超伝導の臨界温度を高めることを追求する中で、準平坦な電子バンドと二次元（2D）におけるバン・ホーヴの特異点が、平均場の期待に基づいてクーパー対を強化する潜在的なアプローチとして浮上しています。しかし、これらの特異な電子特性は超流動剛性を抑制し、したがって2D超伝導系におけるベレジンスキー-コステルリッツ-トゥーレス（BKT）転移を妨げ、超伝導揺らぎによって重要な擬似ギャップ領域が出現する原因となります。強い結合領域では、超流動剛性は超伝導ギャップに反比例することがわかり、これは超流動剛性の強い抑制に寄与する主要因です。ここで、強い対形成強度を持つ準平坦な電子バンドが弱い電子対形成強度を持つ深いバンドに結合された2D超伝導電子系では、前述の制限が回避されることを明らかにします。マルチバンド効果により、超流動剛性の抑制を回避するスクリーニング様のメカニズムを示します。バンドコンデンサ間のイントラバンド結合とペア交換結合を調整することで、BKT転移温度の大幅な向上と擬似ギャップ領域の大幅な縮小を達成するための最適条件を報告します。