インターフェースドーピングとひずみおよび酸素化学量論がSrIrO₃ヘテロ構造の輸送および電子構造特性に及ぼす影響

5d系列半金属的ダイラクリックノードラインペロブスカイトSrIrO₃は、エピタキシャル薄膜ジオメトリーにおけるスピン軌道結合と電子-電子相互作用の相互作用を研究するための有望なシステムを提示します。バンドの分裂と拡張d軌道からの相関エネルギーの抑制の間の競争は、電子的および磁気的構造に影響を与え、このようなシステムにエキゾチックな量子相をもたらす可能性があります。このイリジウム化合物は、ヘテロ構造成長条件と幾何学的ひずみに非常に敏感な相図を持ち、単斜晶バルク結晶構造よりも直方晶相を安定化します。このイリジウムペロブスカイトの成長モードと格子定数は、パルスレーザー堆積による成長中に酸素部分圧および厚さとともに急激に変化することが観察されています。本研究では、2つの成長パラメータセットから導出された構造的および輸送特性が比較され、フェルミ端における電子構造の明確な違いを示しています。フェルミ端付近のX線光電子放出スペクトルと比較した状態密度の計算により、この領域における電子構造に寄与する状態を特定することができます。これらのケーススタディ間のスペクトルの違いは、成長領域を制御することで、この名目上半金属システムにおけるフェルミレベルで一方のキャリアタイプの濃度を強化するために電子構造を調整できる可能性を示しています。このシステムにおける相関誘起電子輸送パラメータの制御により、このモットシステムにおけるハニカム格子に関連するスピン軌道絡み状態およびトポロジカル結晶特性へのアクセスが可能になります。