シリコン上の薄膜リチウムニオブ酸塩（TFLN）リングモジュレーター

薄膜リチウムニオブ酸塩（TFLN）は、高性能のエレクトロオプティカル（EO）モジュレーターの構築において実績があります。しかし、そのCMOS非互換性と非標準エッチングの必要性は、スケーラビリティ、標準化、統合の複雑さに関して一貫して課題を提起してきました。異種集積はこの重要な課題を解決します。薄膜リチウムニオブ酸塩のマイクロ転写印刷は、簡単な「ピックアンドプレース」によってTFLNを確立されたシリコンエコシステムに持ち込み、高密度でコスト効率が高く、非常に多用途な異種集積回路の構築において巨大な可能性を示しています。ここでは、コンパクトでスケーラブルなシリコン回路と性能の良いリチウムニオブ酸塩モジュレーターの密な統合に向けた重要なステップとなるシリコン上の薄膜リチウムニオブ酸塩（TFLN）リングモジュレーターを初めて実証しました。提示されたデバイスは、挿入損失が−1.5 dB、消光比が−37 dB、エレクトロオプティカル帯域幅が16 GHz、モジュレーション速度が最大45 Gbits−1を示しています。