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要約 強誘電トンネル接合(FTJ)は、超薄型強誘電体の自発的極性方向に基づく高速動作とシンプルな二端子構造により、現在も継続的な研究の対象となっています。非破壊的な読み出し、高速動作、低エネルギー消費、高密度集積などのFTJの利点により、最近では不揮発性の次世代メモリとして有望な候補と見なされています。これらの特性は、現代のコンピュータシステムにおける高性能メモリの需要の高まりに対応するために不可欠です。このレビューでは、FTJの基本原理と構造を探り、FTJの成功した製造と動作に必要な要素を明確にします。その後、ペロブスカイト酸化物、フルオライト、2次元ファンデルワールス、ポリマー系FTJの最近の進展に焦点を当て、将来FTJで使用されることが期待される強誘電材料について議論します。強誘電体の有利な特性を利用した不揮発性メモリ、クロスバーアレイ、シナプスなど、さまざまな機能デバイスアプリケーションを強調します。最後に、FTJデバイスが現在直面している課題について述べ、前進するための方向性を提案します。
Park et al. (Thu,) はこの問題を研究しました。