1T1R構成におけるプログラミングプロセスに対するトランジスタ転送特性の影響

1トランジスタ1抵抗（1T1R）構造は、新しい神経形態学的応用の文脈において広く使用されています。これは、レドックスベースの抵抗性ランダムアクセスメモリ（ReRAM）における状態の変動性を効果的に制御し、ReRAMアレイにおける漏れ電流を抑制できます。トランジスタのサイズが電気的挙動に直接的な影響を与えるため、1T1R構造における2つのコンポーネントの特性を一致させることは、デバイス設計の初期段階において重要なステップです。本記事では、価数変化メカニズム（VCM）型ReRAMデバイスに焦点を当て、トランジスタ転送特性が1T1R構造のプログラミング特性に与える影響を調査します。異なるトランジスタサイズの3種類の1T1R構造の電気的挙動を、徐々にSET切り替えアルゴリズム中に比較することによって、適用電圧がReRAMセルとトランジスタの間でどのように分配されるかを分析します。さらに、トランジスタサイズ、動作領域、およびバイアス条件間の関係をJART VCM v1bコンパクトモデルに基づいて探ります。最後に、これらの要因が1T1R構造のプログラミング特性に与える影響について議論し、トランジスタサイズとバイアス条件に関する設計提案を提供します。