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要約 連続堆積(SD)は、高性能有機太陽電池(OSC)の製造に広く適用されています。しかし、逆位相光伏デバイスにおけるSDの実現可能性はめったに言及されません。さらに、SD処理されたデバイスの垂直成分分布についても議論の余地があります。本研究は、SDがアクティブ層の形態を正確に制御することで全体のバルクヘテロ接合形態を実現できることを示しています。光伏性能をさらに向上させるために、熱アニーリング(TA)と溶媒蒸気アニーリング(SVA)の2つの後処理を行い、SD処理された逆位相光伏デバイスに対するその効果を比較します。結果は、SDがデバイスの熱安定性を大幅に向上させることを確認します。この研究は、SD処理を体系的に理解し、優れた性能を持つ安定した逆位相OSCを準備するための貴重な洞察を提供します。
Qiu et al. (金曜日)はこの問題を研究しました。
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