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ゲート付きp+–i–n+ダイオードを用いた四次元真の乱数生成器 | Synapse
March 3, 2026
ゲーティングp+–i–n+ダイオードを用いた四元真の乱数生成器
HH
Hyojoo Heo
Korea University
YS
Yunwoo Shin
JJ
Juhee Jeon
Korea University
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Key Points
ゲーティングp-i-nダイオードを利用した真の乱数生成器は、熱ノイズ要因による優れた性能を示します。
重要な特徴は、データ生成におけるランダム性と予測不可能性を向上させるための四元出力の利用です。
分析は、熱ノイズや量子効果を含むランダム性を可能にする基礎物理原理に焦点を当てています。
この設計は、暗号技術や安全な通信の進展を可能にするかもしれず、ランダム性の重要性を浮き彫りにしています。
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Heo et al. (Tue,) はこの問題を研究しました。
synapsesocial.com/papers/69a75d91c6e9836116a27b9a
https://doi.org/https://doi.org/10.1007/s11432-025-4626-6