カップリング交差導波路と統合されたSiN上の量子ドット単一光子源

要約 InAs/GaAs量子ドット（QD）単一光子源（SPS）のハイブリッド統合は、量子光をSiNフォトニック集積回路に導入するための有望なアプローチです。しかし、GaAsとSiNの間の大きな屈折率ミスマッチは、効率的な光学結合の課題となります。ここでは、カップリング交差導波路構造を使用したSiN上のInAs/GaAs QD-SPSのハイブリッド統合を提案し、実験的に実証します。フォトニッククリスタルナノキャビティがQD放出をGaAs導波路に結合するために使用され、交差セクションでSiN導波路に光子を効率的に転送します。Purcell効果によって強化された単一光子放出、チップ上の伝播、およびSiNグレーティングカプラーを介した出力を観察しました。