デジタル積分回路における単一事象効果のクリティカルチャージをモデル化する一般的なアプローチが説明される。CMOS SRAMの技術的および回路パラメータの関数として、単一事象アップセット(SEU)のクリティカルチャージの明示的な式が得られる。
Mateiko et al. (Mon,) はこの問題を研究した。
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