高性能MIMコンデンサ向けにひずみ工学されたSiドープCs 3 Bi 2 I 9ペロブスカイト：DFTスタディ

Key Points

• この研究の目的は、密度汎関数理論を用いてひずみ工学されたSiドープCs3Bi2I9ペロブスカイトのエネルギー貯蔵能力を評価することです。
• SiドープCs3Bi2I9ペロブスカイトの特性をモデル化するために、密度汎関数理論を使用しました。
• ひずみ工学がエネルギー貯蔵ポテンシャルに与える影響を調査しました。
• ひずみ工学は、SiドープCs3Bi2I9ペロブスカイトのエネルギー貯蔵容量を大幅に改善します。
• 性能の向上は、高効率MIMコンデンサの潜在能力を示しています。