単一分子接合における構造と量子干渉の関係

電子の経路における量子干渉（QI）は、単一分子電子デバイスの実現ツールとして最近、注目を集めています。さまざまな分子システムがQI効果を示すことが明らかになり、多くの分析手法が提案されていますが、分子構造と位相コヒーレント輸送領域におけるQI効果を結びつける単純なガイドラインはこれまで欠けていました。本研究では、芳香族分子におけるQIが分子のπ系のトポロジーと密接に関連していることを示し、QI誘起伝送反共鳴の存在を予測するための単純なグラフィカルスキームを確立します。このスキームの一般性は、特定のクラスのタイトバインディングモデルに対して正確であることが証明され、アントラキノンの10の異なる構成および交差共役分子ワイヤーのセットに対する第一原理輸送計算との比較によって確認されます。