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5 nm未満の長さスケールでのパターン形成は、マイクロエレクトロニクス回路のさらなる小型化に向けた現代的な課題です。ここでは、液晶性ハニカムを用いたポリフィリックブロック分子が形成するこの長さスケールでの通常の三角形と二種類の二等辺三角形(鋭角および鈍角)の間での遷移を示す最初の柔軟な自己組織化三角パターンが報告されます。形成される三角形パターンのタイプは、フルオロ化の度合いや位置、温度に依存します。これらは、均一なナノ構造において傾斜した組織と非傾斜組織を組み合わせた最初の柔軟なハニカムであり、三角柱状セルの一方または両側に傾斜した分子が形状と形態のサイズを支配します。
Poppe et al. (Thu,) はこの問題を研究しました。