エキシトン吸収帯のラインシェイプ理論へのさらなる寄与

k = 0 の場合にエキシトンエネルギーバンドの底（または頂）にあり、同じエネルギーの状態がエキシトンバンドに存在しない場合のエキシトン吸収帯のラインシェイプを、挙動理論を用いて弱いエキシトン-フォノン結合の限界において調査します。エネルギー依存のシフトとブロードニングの方程式は、グラフィック計算の助けを借りて解かれます。低温領域を除けば、エキシトン-フォノン散乱は弾性的であると仮定でき、吸収帯のメイン部分におけるラインシェイプは主に長波長エキシトンとフォノンの特性によって決まります。半値幅はかなり小さく、gはエキシトン-フォノン結合定数、Tは絶対温度である場合、(gT)²に比例します。ラインシェイプは強い非対称性を持ち、k = 0 がエキシトンバンドの底であるか頂であるかに応じて、間接遷移に起因した尾部が高エネルギー側または低エネルギー側に現れます。