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二次元結晶はナノエレクトロニクスの新しい材料として浮上しています。この分野の発展には、高いキャリア移動度と、グラフェンとは対照的に、十分に大きな電子バンドギャップを持つ候補システムが必要です。ここでは、少層黒リン(BP)の原子および電子構造の詳細な理論的研究を提供し、その電気的および光学的特性を予測します。このシステムは直接バンドギャップを持ち、単層では1.51 eVから5層サンプルでは0.59 eVに調整可能です。移動度はホール支配であり、かなり高く、非常に異方性であると予測しています。単層は、非常に高いホール移動度(約10,000 cm² V⁻¹ s⁻¹)と異常な弾性特性を持ち、異方性を逆転させる点で優れています。光吸収スペクトルは、面内の垂直方向間の線形二色性を示し、結晶方位の光学的決定および異方性輸送特性の光学的活性化を可能にします。これらの結果は、少層BPを将来のエレクトロニクスの有望な候補とします。」},{
Qiao et al. (Mon,) はこの問題を研究しました。