π-拡張配位子による二座コインメタル錯体

二座カルベン-MI-アミド (cMa, MI = Cu, Ag, Au) 錯体は、相互配位子間電荷移動 (ICT) プロセスによる熱活性化遅延蛍光 (TADF) を介した非常に高速な放射速度のため、多様なフォトニックアプリケーションで使用するのに非常に効率的な発光材料として登場しました。放射速度に影響を与える変数を調べるために一連のcMa派生物が調製され、これらの材料における放射性TADFプロセスを制御するパラメータの理解を目指しました。カルベンおよびアミド配位子のπ-系を選択的に拡張することで、高い発光効率 (ΦPL > 0.95) を持つ青色発光錯体と、速い放射速度 (kr = 4 × 106 s-1) を達成できることがわかりました。ICT励起状態における穴と電子の間の距離の増加が果たす役割は注目に値します。温度依存の発光データおよび理論計算の分析により、穴と電子の分離が、基底状態の最低エネルギーの一重項と三重項の間のエネルギーギャップ (ΔEST) に主な影響を及ぼし、単一状態の放射速度を相対的にunchangedに保つことが示されています。この解釈は、より遅い放射速度を持つcMa派生物に加えて、さらに速い放射速度を持つ新しいcMa派生物の設計に関するガイドラインを提供します。