低温におけるビスマスとアンチモンの熱的および電気的抵抗率

概要 ビスマスとアンチモンの純粋なポリクリスタリン試料の電気抵抗率の測定が2〜300°Kの範囲で報告されており、150°Kまでの熱伝導率についても測定されています。また、熱伝導率を電子成分と格子成分に分離可能にするための磁場下での測定も行われています。50°K未満では、ビスマスの熱伝導率はほとんどが格子波によるものであり、自由電子は伝導や散乱にほとんど寄与しないようです。しかし、アンチモンでは、格子の導電率は低温で予想されるほど大きくなく、自由電子による散乱が重要であることを示唆しています。アンチモンにおける電子項 λe は一価金属における温度依存性に非常に類似しています。両元素の電気抵抗率は、TがΘ/10未満のとき約T 2–75として変化します。ビスマスの抵抗率は、通常の温度で観察される温度との近似比例関係が、金属では通常のよりもかなり低い温度にまで拡張されます。