化学的圧力が（M = Zn、Mn、Cd、Hg; X = Cl、Br）で形成された錯体の電荷移動スペクトルに及ぼす影響

本研究は、異方性（X = Cl、Br）結晶中で形成された錯体の電荷移動スペクトルを調査します。結晶系列に沿った置換によって引き起こされる電荷移動遷移エネルギーの変動に注目しています。この研究の顕著な特徴は、対応する結晶場（d-d）バンドの感度に比べて、錯体の構造変化に対するこれらのバンドの感度が弱いことです。これらの構造によって引き起こされるシフトの知識は、クロモフォアとして単位を含むいくつかの化合物が示す熱および圧電の特性に大きく関与しているため、重要です。タイトルに記載された化合物における電荷移動遷移が示す弱い感度を説明するために、撹乱された正四面体の錯体に基づく試験的モデルを提示します。さらに、このモデルの推定値は、純粋な塩化銅酸塩における錯体の構造変化によるd-dと電荷移動遷移のエネルギーシフトの大きな違いを説明することもできます。