有機金属蒸気相成長法によって成長したInAsBiおよびInAsSbBiのフォトルミネッセンス

大気圧有機金属蒸気相成長法で成長したInAsBiおよびInAsSbBiエピタキシャル層からの赤外線フォトルミネッセンス（PL）について研究を行った。Bi濃度が≤2.3 at. %の三元InAsBiのPLを調査した。ピークエネルギーは、Bi濃度が増加するにつれて55 meV/at. % Biの割合で減少する。これらのBi含有合金の透過スペクトルの研究は、上記の結果を確認する。InAsBiのPLピークは、バンドエッジ近傍の発光に割り当てられている。dEg/dx=−55-meV/at. % Biの値は、InAsBiのバンドギャップに関する以前の理論予測の2倍以上である。また、Sb濃度が10 at. %およびBi濃度が≤1.5 at. %の四元層InAsSbBiのPLも研究された。InAs1−xSbx(0.07x0.10)におけるBiの取り込みは、PLピークエネルギーを46-meV/at. % Biの割合で減少させる。これらの結果は、赤外線検出器アプリケーションに必要な0.1 eVのバンドギャップを実現するには、InAs0.35Sb0.65にわずか数パーセントのBiの取り込みが必要であることを示唆している。