銅上のメタンの低圧化学蒸気堆積によって成長した大面積グラフェン単結晶

メタンを前駆体として使用し、銅箔封入体内で低圧化学蒸気堆積法により、片側最大0.5 mmのグラフェン単結晶が成長されました。低エネルギー電子顕微鏡分析により、大きなグラフェン領域は単一の結晶方位を持ち、時折2つの方位を持つ領域があることが示されました。ラマン分光法では、グラフェン単結晶が均一な単層であり、Dバンド強度が低いことが明らかになりました。フィールド効果トランジスタ測定から抽出されたグラフェン薄膜の電子移動度は、室温で4000 cm(2) V(-1) s(-1)を超えることが確認されました。