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単純な溶媒蒸気アニーリングを使用して、ポリマーダイ電気表面上にジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェンの単結晶を製作しました。自己整合的な相分離を利用することにより、結晶の長さが増加し、良好な半導体/絶縁体インターフェースが得られます。フィールド効果トランジスタ(FET)は、平均的なp型FET移動度が3.0 cm2 V−1 s−1で、最高値は9.1 cm2 V−1 s−1です。FETの移動度は温度が低下するにつれて増加し、固有のバンド状輸送を示唆しています。専門の読者にとって重要な詳細情報は「補足情報」として公開されています。このような文書は査読されていますが、校正されたり、組版されたりすることはありません。著者によって提出されたまま利用可能です。ご注意ください:出版社は著者が提供した補足情報の内容や機能について責任を負いません。欠落している内容以外の問い合せは、記事の対応著者に直接行ってください。
Liu et al. (Mon,) はこの問題を研究しました。