位相変化メモリのチアルコゲナイドガラスにおける電気伝導

非結晶性チアルコゲナイドは、書き換え可能な光データストレージや不揮発性位相変化メモリデバイスへの応用により、この50年間広範囲にわたって研究されてきました。しかし、これらのガラスにおける観察された非線形伝導の本質は未だに議論の余地があります。本レビューでは、これらの材料における直流伝導に関連する最新の知識を統合し、拡張します。関連する実験データの概要に続き、チアルコゲナイドガラス特有の局在状態の物理学のレビューを行います。次に、電場に指数関数的に依存する導電率を持つ12の関連輸送メカニズムを説明し、評価します。議論されるメカニズムには、さまざまな形式のプール-フレンケルイオン化、ショットキー放出、ホッピング伝導、尾部状態の電場誘起非局在化、空間電荷制限電流、場放出、パーコレーションバンド伝導、および結晶性インクルージョンを介した輸送が含まれます。ほとんどの候補は、観察された非線形IVデータのフィッティングにおいて、多少なりとも満足のいく結果を提供します。私たちの分析は、さまざまな代替モデルを区別するための追加の研究を呼びかけます。