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結晶性半導体を用いて放射線フォトンを電気的電荷に変換する固体放射線検出器は、高い検出能力と感度を持つ他の技術を上回ります。ここでは、完全に枯渇したp-i-nアーキテクチャで製造された、高結晶性の2次元ラドルスデン・ポッパー相層状ペロブスカイトで構成された薄膜X線検出器を示します。逆バイアス領域において1012オーム·cmの高いダイオード抵抗を示し、0.276 C Gyair -1 cm-3までの高いX線検出感度を実現します。このような高い信号は、堅牢な動作を持つ主な光電流デバイスの動作を支える内部ポテンシャルによって収集されます。この検出器は、代替の検出メカニズムを提供する substantialなX線フォトン誘導開放回路電圧を生成します。我々の発見は、将来のX線イメージング技術のための低コストの層状ペロブスカイト薄膜に基づく新世代のX線検出器を示唆しています。
Tsai et al. (Fri,) はこの問題を研究しました。
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