結晶/非晶体ヘテロインターフェースと欠陥を持つCuCo2S4@拡張グラファイトの合成と電磁波吸収のための特性

ヘテロインターフェースと欠陥エンジニアリングの顕著な利点とその独特の電磁特性は、先進的な炭素マトリックス電磁波吸収材の設計に無限の活力を注入します。しかし、半経験的な規則ではなく、微視的および巨視的視点に基づいたインターフェースおよび双極子効果の理解は、材料のインピーダンス整合および電磁波吸収を調整するためにヘテロインターフェースと欠陥の設計を促進しますが、これは現在不足しています。本研究では、複数のヘテロインターフェースとカチオン欠陥を持つCuCo2S4@拡張グラファイトヘテロ構造が報告されており、金属イオンの濃度を変えることで構成要素の形態、インターフェース、および欠陥が調整されます。結果は、3D花状ハニカム形態、結晶-結晶/非晶体ヘテロインターフェースと豊富なカチオン欠陥が導電損失と偏光損失を効果的に調整し、炭素材料のインピーダンス整合バランスを達成し、電磁波の吸収を改善できることを示しています。サンプルCEG-6では、RLminが-72.28 dBで、実効吸収帯域幅が4.14 GHzで、1.4 mmでKuバンドの効果的な吸収が実現され、充填物の負荷はわずか7.0 wt.%です。本記事では、結晶-結晶/非晶体ヘテロインターフェース、カチオン欠陥、および炭素材料のインピーダンス整合との潜在的な関係の確立に関する報告を行います。