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水素生成反応(HER)における二硫化モリブデン(MoS2)の有望な触媒活性は、その二次元層状結晶構造の端に位置する活性部位に起因していますが、その性能は現在、活性部位の密度と反応性、貧弱な電気輸送および触媒への非効率的な電気接触によって制限されています。ここでは、グラファイト上に直接成長した半導体2H-MoS2ナノ構造からリチウム挿入法によって化学的に剥離された1T-MoS2の金属ナノシートからの劇的に強化されたHERカタリシス(-187 mV vs RHEの低い過電位で10 mA/cm²の電気触媒電流密度および43 mV/デケードのターフェル傾斜)を報告します。構造特性評価と電気化学的研究により、金属MoS2ポリモルフのナノシートは容易な電極動力学と低損失の電気輸送を示し、触媒活性部位の密度が高いことが確認されました。これらの独特で以前に活用されていなかった1T-MoS2の特徴により、これらの金属ナノシートは非常に競争力のある地球豊富なHER触媒となります。
Lukowski et al. (金)はこの問題を研究しました。
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