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トラップの深さと密度は、絶縁体における空間電荷制限電流の応答を外部電場に依存させた分析から決定することができます。空間電荷制限電流測定から得られた値は、同じ硫化カドミウムの結晶で得られた熱刺激電流および光電流減衰から得られたものと比較されます。結果は、電圧を上げることによってトラップが満たされるときにトラップフリー曲線に向かう電流の急激な上昇が常に起こると単純に仮定すると、トラップの深さと密度に大きな誤りが生じる可能性があることを示しています。このような急激な上昇がトラップの場イオン化に起因する場合や、特定のケースでは二重注入の開始に起因する可能性もあります。しかし、後者の効果が発生しても、空間電荷制限電流データの適切な分析により、熱刺激電流や光電流減衰の独立した測定と完全に一致するトラップの深さと密度の評価が可能です。
リチャード・H・ビューブ(火曜日)がこの問題を研究しました。
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