狭帯状半導体レーザーにおける自己持続振動現象の理論的分析

自己持続振動の現象は、半導体注入レーザーにおける過剰ノイズの低減に利用されています。狭帯構造を持つ半導体レーザーにおける自己持続振動の生成メカニズムが理論的に分析されました。振動は、能動領域の存在と、能動領域の外に位置する飽和吸収領域によって生成されます。ガリウムヒ素（GaAs）レーザーにおいて振動を得るためには、能動領域（ストライプ幅）の幅が数マイクロンよりも狭くなければなりません。狭い能動領域を持つゲインガイディングまたは反インデックスガイディングは、振動を維持しながらより高い動作を得るのに有利です。