半導体の光スペクトルにおける励起子効果の第一原理計算

半導体および絶縁体の光吸収スペクトルにおける励起子効果の計算に対する第一原理アプローチが構築される。これは準粒子バンド構造計算から始まり、関連するベッテ-サルピーター方程式に基づいている。バルクシリコンへの応用は、ピーク位置と線形状の両方において実験スペクトルの記述に関して前の計算よりも大幅な改善を示している。