多結晶Hf₀.₅Zr₀.₅O₂強誘電体薄膜における分極転換動力学の深い理解：NLSからKAIへの遷移

強誘電体Hf₀.₅Zr₀.₅O₂ (HZO)における分極転換動力学の深い洞察を得るために、荷電トラッピング、分極飽和未達、及びインプリント効果を排除するために新しいパルスシーケンスを用いて内因性の転換特性が正確に測定されました。NLSフィッティングにより、平均転換時間とピン止めサイトの濃度が抽出され、外部電場、電極サイズl及び温度Tの依存性に主に焦点が当てられています。平均転換時間はTに対して弱い依存性を示すが、lのスケーリングに伴って急激に減少し、lが3.89mのときにはサブns転換挙動が予測されます。さらに重要なことに、我々の観察は、Tが161K未満またはlが粒子サイズ（10~30nm）に近づくときにNLSからKAIモデルへの遷移が起こることを強く示唆しています。この驚くべきが理にかなった遷移は、強誘電体メモリサイズのスケーリングや低温操作において、HZO強誘電体がはるかに速く、より均一に切り替えることができることを示唆しています。