V2VI3 チャルコゲナイドに対するアルカヘスト：ダイアミン-ジチオール溶媒混合物における九つのバルク半導体の溶解

半導体フィルムを溶液から堆積する能力は、多くのオプトエレクトロニクス応用のコストを潜在的に下げる方法として最近注目を集めています。しかし、ほとんどのバルク半導体は一般的な溶媒に溶けません。ここでは、1,2-エタンジチオールと1,2-エチレンジアミンから成る新しく比較的無害な二元溶媒混合物について説明します。この混合物は、室温および大気圧下で一連の九つのバルク V2VI3 チャルコゲナイド（V = As, Sb, Bi; VI = S, Se, Te）を迅速に溶解する驚くべき能力を持っています。溶液堆積および低温アニーリングの後、チャルコゲナイドは有機成分がほとんど含まれない高品質の結晶性薄膜として完全に回収できることが示されました。