InAs/(GaIn)Sb超格子ロング波長フォトダイオードにおけるトラップ支援トンネル電流の調査

カットオフ波長11μmのInAs/(GaIn)Sb超格子フォトダイオードのエレクトロルミネッセンススペクトルでは、バンドギャップの1/3のエネルギーレベルに位置するトラップ中心が観察される。トラップ中心は、ダイオードの低温電流–電圧特性をシミュレーションすることによって認識される。実験データと理論的予測の両方のI–V特性および微分抵抗に関して優れた定量的一致が達成される。I–V特性の定量的シミュレーションでは、InAs/(GaIn)Sbフォトダイオードの77K性能が長波長でも生成-再結合プロセスに支配されていることが示されている。50K以上では、トンネル電流は重要でない。