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強電界薄膜における最先端の概要が提示されます。まず、マイクロシステムの応用、高周波電子機器における応用、強電界材料に基づくメモリなどの応用についてレビューします。第二のセクションでは、材料、構造(特にドメイン)、およびサイズ効果について扱います。その後、応用に重要な薄膜の特性に関して、偏極反転や強電界メモリの信頼性に関連する特性、マイクロシステムの応用に関連する強電界薄膜の圧電非線形性、そしてすべての応用において重要で高周波デバイスにとって必須の強電界薄膜の誘電率と損失について述べます。特性の文脈において、強電界材料のナノスケール探査についても議論します。最後に、2つの重要な新たなテーマ、すなわち多鉄的材料と強電界一様ナノ構造についてコメントします。
Setter et al. (Fri,) はこの問題を研究しました。
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