高輝度青色InP量子ドットベースのエレクトロルミネッセントデバイス：シェルの厚さの役割

および1.01％それぞれ。数千の原子からなる量子ドットに対する大規模な密度汎関数理論計算は、厚いシェルの量子ドットが量子ドットフィルムにおける carrier injection をよりバランス良く促進し、同時に密にパックされた量子ドット間のFRETを抑制することを示しており、これらがまとめて青色デバイスの性能向上に寄与しています。