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EuOの電気的および光学的特性を研究し、伝導機構を特定するのに役立てます。成長パラメータと電気的挙動との間に強い相関関係が認められます。中程度の導電性を持つ結晶では、バンドエッジ以下のエネルギーで自由キャリア吸収が観察されます。光学的および電気的結果を比較することにより、抵抗性挙動に対するキャリア密度と散乱時間の寄与を実験的に決定します。キャリア密度の変動は、ここで発展させた以前提唱されたモデルに基づいて説明されます。このモデルは、低温では伝導帯エッジの上にある酸素空隙によって引き起こされると考えられるドナー・トラップレベルから成り、温度が上昇するにつれて(約50 ^で)伝導帯エッジの下に交差します。モデルを強く支持する磁気抵抗および圧力の結果が示されています。
Oliver et al. (火曜日) はこの問題を研究しました。
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