ZrO₂抵抗スイッチング薄膜の電気的特性と疲労挙動

メモリーフィルムの抵抗スイッチングメカニズムが提案され、デバイスの抵抗スイッチング特性が本研究のデバイスのそれよりも安定している理由を説明する。デバイスと異なり、デバイスのキャリア導電メカニズムは空間電荷制限電流理論に従い、これはTiととの間の界面層の形成によって引き起こされる可能性がある。さらに、抵抗スイッチングメカニズムはフィラメント形成/破壊理論および酸素イオン移動に関連していると提案されている。フィラメントの形成/破壊が起こる場所はTiととの間の界面付近に制限されるべきであり、それが安定した抵抗スイッチング特性と優れた耐久性能につながる。室温および環境での連続的な抵抗サイクル中に、両方のメモリ状態の劣化によって疲労挙動が観察される。これはTiととの間の界面層の変換およびクラスタの合併に関連している可能性がある。