高性能フォトディテクターのための少層GaSeナノシートの合成

二次元（2D）半導体ナノ材料は、未来のエレクトロニクスと光学に大きな期待を寄せています。本論文では、機械的剖離および溶媒剥離法を用いて、超薄型GaSeの2Dナノシートを製造しました。単層および少層のGaSeナノシートはSiO(2)/Si基板上で剥離され、原子間力顕微鏡およびラマン分光法で特徴づけられました。超薄型GaSeベースのフォトディテクターは、0.02秒の高速応答、2.8 AW(-1)の高い感度、および254 nmでの1367%という高い外部量子効率を示し、GaSeの二次元ナノ構造が高性能フォトディテクターの新しい有望材料であることを示しています。