ショートコミュニケーション：加速された出版：最先端のZnO/CdS/Cu(In1?xGax)Se2太陽電池におけるダイオード特性

薄膜多結晶Cu(In,Ga)Se2ベースの太陽電池における新しい最先端の成果として、エネルギー変換効率19·5%の達成を報告します。Cu(In,Ga)Se2太陽電池の性能を、いくつかの吸収体特性および他の導出されたダイオードパラメータの観点から分析しました。この分析により、最高性能のセルは吸収体のバンドギャップ値が約1·14 eVであることに関連付けられ、それによりダイオード飽和電流密度が最も低い値（約3×10−8 mA/cm2）およびダイオードの品質因子が薄膜多結晶Cu(In,Ga)Se2太陽電池において1·30から1.20%の範囲にあるデバイスが得られることが明らかになりました。2005年にJohn Wiley & Sons, Ltd.で発表。