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トランスデューサーの予備的研究などに適した、大型(10〜20 g)で巨視的に健全なZnO結晶が、1日あたり10〜15 milsの速度で水熱育成された。良好な育成を達成する上で重要であることが判明した要因は、(1)育成溶液の塩基濃度、(2)溶解領域と育成領域の温度差、(3)育成溶液の事前飽和、(4)昇温手順、(5)デンドライト形成を抑制するための育成溶液へのLi+の添加、(6)種結晶の損傷を除去するためのエッチング、および(7)原料サイズであった。上記要因のそれぞれについて検討し、議論する。
Laudise et al. (Wed,) はこの問題について検討した。