中枢聴覚系の刺激用にバッチ製造された薄膜電極

シリコンマイクロマシニングおよび薄膜技術を使用して、中枢神経系の特定の体積を刺激するために使用できるイリジウム刺激アレイを製造しました。1から40μmの厚さを持つシリコンマルチチャンネルプローブを、高収率かつ回路互換プロセスによって任意の2次元形状で製造できます。イリジウム刺激部位はイリジウムワイヤー電極と類似の特性を示します。8000μm²の部位で800万回以上の100μAの2相電流パルスによる加速パルステストにおいて、イリジウムおよび活性化イリジウム部位の長期的安定性が証明されました。デバイスを使用して中枢聴覚経路において神経の活性化を示すために、in vivoテストが実施されました。これらのテストは、部位の間隔と部位のサイズの関数として選択的な活性化を示します。