バルクBiTeIにおけるRashbaスピン分裂バンドを持つ二次元熱電材料

Rashba効果はユニークなスピン分裂バンド構造のため、熱電材料にとって興味深いです。巨大なRashba効果を持つバルクBiTeIを例として使用することで、スピン分裂によって誘導される定常状態密度が二次元の熱電力に結びつくことを証明します。熱電力はスピン縮退バンドに比べて高く、主に特定のキャリア濃度でのRashbaスピン分裂バンドにおけるフェルミレベルの低さによるものです。熱電力とRashbaパラメータの間に定量的な関係が確立されます。さらに、Rashbaシステムにおける内部電場は結合の非調和性や低い格子熱伝導率に寄与する可能性があります。我々は、巨大なRashba効果を持つバルク材料が効率的な熱電材料の有力な候補になり得ることを示唆します。