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10 T の磁場下で T = 80 K の温度において、約 50 mΩ cm の振幅の巨大平面ホール効果が、電子密度 5.5 × 10^15 cm –3 を持つ超純 HgSe 単結晶サンプルで検出されました。さまざまな磁場におけるサンプルの回転角に対する振動依存性が明らかになりました。属性(振動周期、極値の位置、平面ホールと平面縦方向磁気抵抗の振幅間の相関)は、この各方向が等方的なフェルミ面を持つ非磁性の隙間のない半金属における平面ホール効果がカイラル異常に起因することを示しています。これは、HgSe の電子スペクトルのトポロジー的性質に対する強力な根拠です。
Бобин et al. (Sun,)はこの問題を研究しました。
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