GaNベースの緑色発光ダイオードの状況

GaNベースの青色発光ダイオード（LED）は最近大きな発展を遂げましたが、緑色LEDの改善はまだ進行中です。現在、GaNベースの緑色LEDの外部量子効率（EQE）は通常30%であり、トップレベルの青色LEDに比べてはるかに低いです。GaNベースの緑色LEDに関して現在の課題は、低ひずみの高品質なInGaN量子井戸（QW）を成長させることです。効率を向上させるための多くの技術が議論されており、QWとバリアの間にAlGaNを挿入すること、QWの下に予めひずみのかかった層を用いること、半極性QWを成長させることなどが含まれます。Si基板上のGaNベースの緑色LEDの最近の進展についても報告されており、35 A/cm2での45.2%のIQEを持つSi基板上の高効率、高出力の緑色LEDと、その関連技術が詳細に説明されています。